之间是什么结构的字

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宇文赟的名字究竟如何发音?“赟”字背后又隐藏什么含义?这个字一看就充满了吉祥之意,听起来也让人心情愉悦。 “赟”这个字的读音是yūn,它寓意着“美好”。仔细观察这个字的结构,你会发现它是由“文”、“武”和“贝”三部分构成。你可能会好奇,这三部分组合在一起为何就能代表美好呢?这其中蕴含着深刻的含义。 “文”代表着文...

(^人^) ...结构专利,至少有利于在降低半导体结构布局面积的同时,降低相邻字线...字线环绕半导体通道,第一方向、第二方向以及第三方向两两相交;包括若干个台阶的阶梯结构,台阶与字线接触连接,沿第三方向上,任一台阶的顶面高度与另一台阶的顶面高度不同,且台阶沿第一方向和第二方向阵列排布,且相邻台阶之间电绝缘;若干接触结构,接触结构与台阶接触连接,且任...

...半导体结构及其形成方法专利,可以降低相邻两条字线之间电容耦合效应多条字线,多条所述字线沿所述第一方向间隔排布,每条所述字线沿所述第二方向延伸、且连续包覆沿所述第二方向排布的多个所述有源柱的部分侧壁,在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上,任意相邻的两条所述字线至少部分错开设置。该半导体结构可以降低相邻两条字线之间电容耦合效...

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长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...结构及其字线制造方法,该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽,字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与第二字线凹槽水平连通而成,并基于该字线凹槽制作非对称埋入式的字线在衬底中。利用本发明制作得到的埋入式字线作为MOS管的栅极,可以增加MOS管源极与漏极之间的距离...

三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“,授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错...

长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度...

创作时记不住字的结构?我有妙招,老师拿出压箱底的方法结构处理。很多人在写写创作或者是自己写字离开字帖的时候总是会想不起自己所练字帖的字,今天就讲一下把平时练的字不记不住的人,很多人是记不住的,怎样创作?以这个字为例,大家看一下这个往字,这个往字是一个规范字,从创作的时候肯定是看规范字的。规范字对我们有什么指导...

...取得字线引出结构及其制备方法专利,可以减小字线引出结构的接触电阻X轴方向和Y轴方向垂直;形成覆盖接触孔的金属线,接触孔位于字线和金属线之间并分别与字线和金属线接触;其中,接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积。上述字线引出结构,通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积,可以减小字线引出结构的接触...

...半导体结构及其制备方法专利,专利技术能有效提高字线隔离结构的...多条字线均沿第一方向延伸,且沿第二方向间隔设置于衬底上,每相邻两条字线之间均设置有字线隔离结构;字线隔离结构至少包括沿第二方向层叠设置的第一隔离层和第二隔离层,第一隔离层和第二隔离层的材料不同,第一方向和第二方向相互交叉。本公开能够有效提高字线隔离结构的隔...

长鑫存储申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,增加字线结构所...目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空;于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加字线结构所占空间体积及相邻字线结构的间距,并能够控制字线结构连接晶体管栅极结构的尺寸。本文源自金融...